纳秒级写入_超万亿次擦写！中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破

摘要： 之家月日消息小米耳机现已上架京东小米*商城等平台并开启预约海报显示新品采用入耳式设计至少提供绿白两款配色今日早些时候小米中国区市场部副总经理品牌总经理王腾宣布系列手机下周见而京东平...

IT之家 9 月 19 日消息，小米 Redmi Buds 6 耳机现已上架京东、小米*商城等平台并开启预约，海报显示新品采用入耳式设计，至少提供绿、白两款配色。今日早些时候，小米中国区市场部副总经理、Redmi 品牌总经理王腾宣布，Redmi Note 14 系列手机“下周见”。而京东平台显示，Redmi Buds 6 耳机的结束预约时间为 9 月 25 ...

12月26日消息，据媒体报道，在国际领域 学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的发布了一项突破性的（随机存取存储器）技术进展， 了该技术在大规模生产中面临的主要挑战。

驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，显著降低了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度，并从原理上提升了器件良率。

该结构的创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并允许过刻蚀，从而大幅度增 刻蚀窗口，降低了刻蚀过程的难度。

这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%，达到了大规模制造的要求。

同时，该器件实现了2纳秒的写入速度，超过1万亿次的写入/擦除操作次数（测量时间上限），并且具备持续微缩的潜力。

据了解，SOT-MRAM拥有纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望 当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。

不过SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻蚀良率低，严重制约了其大规模生产与应用。