聊聊网传的“8nm光刻机”：这是干式光刻机，造不出来28nm工艺

摘要： 其实自年以来就已经在其在线列出的许可条款中禁止使用翻译层在其他硬件平台上运行基于的软件但之前的警告并未包含在安装过程来源橙子不糊涂微信公众号终于有机会聊点半导体这个事儿挺有价值之前...

其实自 2021 年以来，Nvidia 就已经在其在线列出的许可条款中禁止使用翻译层（translation layers）在其他硬件平台上运行基于 CUDA 的软件，但之前的警告并未包含在安装过程....

来源：橙子不糊涂（微信公众号）

终于有机会聊点半导体，这个事儿挺有价值，之前就发布了，大概看了一下没在意。但不知道为什么十来天后突然发酵了。

核心：

1，这是干式光刻机，造不出来28nm工艺；8nm光刻机纯扯；

2，28nm光刻机实际上是ArFi浸没式光刻机，虽然不该“28nm光刻机”这么叫，但是这么叫好理解，就是可以用在28产线上的光刻机。

这个和干式的区别就是曝光系统模组下有没有水作为介质；光从玻璃，经过水作为介质，折射角要远小于空气，所以193nm的波长等效为134nm波长。

A L的193nm浸没式光刻机，能实现大约22nm左右的单次曝光。实际g e length 并不是22nm，但是这不太重要。因此28nm不需要多曝来实现，用不着。

从公开的这个信息，这是干式光刻机，只能做65nm工艺。

3，多重曝光：用在浸没式工艺技术里面，主要生产14nm-7nm“先进制程”工艺。别说28nm了，14nm用多曝现在都有点勉强，昂贵、复杂，要改良到比如12，10，性能提升一些价格不变会好一点。当年台积电和3星都在14nm节点大力搞多曝，抢苹果。

后来到了7nm用一下，也因为太昂贵，效率太低，在台积电就生存了一年，就转用EUV了。

多重曝光的手艺是当年intel投入重金搞的，结果后来还沉迷不可自拔…

多曝有LELE，LFLE和SADP/SAQP三种。

LELE，Lith-Etch-Lith-Etch，光刻-刻蚀-光刻-刻蚀。把原来一层光刻图形，划分到两个或多个掩膜上，搞了一次图像叠加。这个好想象。

LFLE，Ltiho-Freeze-Ltiho-Etch，光刻-固化-光刻-刻蚀。和LELE本质差不多，省一道刻蚀工序，降低成本。

SADP是SelfAlignedDoubleP terning自对准双重图形化以及SAQP四重曝光技术（好像前一段时间华为弄了个4重曝光的专利）。本质原理都差不多。

重点是：4曝也是Intel在10nm以后搞的，玩的不亦乐乎，结果突然EUV来了，Intel大呼上当。我在练射箭手艺，你给台积电造了一把冲锋枪。

我的观点很明确：多曝搞先进制程没有经济价值，甚至于对于当前的中国，连工艺研发和产业价值都有限。我们落后太多了，后追者不可能遵循摩尔定律，这是领先研发的节奏。

确实战略意义重大， 了生存问题，突破了封锁。但经济利益有限，不过产业节奏会跨越式发展。

我们不可能65，40，28，14，7迭代的去做。必须就是快速的完成ArFi->EUV，DUV做到14小规模搞一搞产能（乐观的话可能3-5年时间），主要是在设备制造工程领域的积累。上微可以和手艺好的客户合作多曝弄点7nm，然后就是要做EUV，这个过程毛估估也得10年起步。

华为可以搞，因为华为太超前了，不计代价弄一点等效5nm的手艺，已经登峰造极，其实工艺没太大量产意义…良率必然低，成本必然极高，也不算什么技术上的突破，是一种雕花工艺，但达成目标确实很牛。产能也会有限，但没办法我们没有EUV。

4，套刻精度：8nm，跟所谓8nm光刻机一分钱关系没有。之后有机会再单独讲套刻精度，这个比较有意思。

5，关于进度：

我理解这些都算是公开信息，老外早就各种报道了。

实际上，之前有一些资深的业内朋友在讲今年就会有明显进步，但目前看…

光刻机到了量产阶段，稳定性压倒一切。我们要保证这个复杂的机器能够稳定、 的工作若干年。
6，关于光刻机的投资行情：

有点牵强…市场期待的是28nm，甚至14nm光刻机量产，对应1970i，1980i的水平。所以一点消息快两周了，今天突然上了热搜。

这种东西需要持续催化才行，最起码要无法证伪。但是现在证伪太容易了。所以没行情，肯定没持续行情。

真的还是要等ArFi官宣，一波确定的 主线机会就来了。

（全文完）